Estudio teórico y práctico del régimen de avalancha en los transistores bipolares

Autores/as

  • José Enrique Eirez Izquierdo
  • Fabriciano Rodríguez González
  • Ernesto Alejandro López Cadalso
  • Yunior Ávila Vázquez

Resumen

Se realiza un estudio teórico de la zona de ruptura por avalancha de los Transistores Bipolares y la caracterización de los mismos en dichas condiciones extremas de trabajo, para obtener los datos necesarios y de esta manera un criterio de selección, que permitan utilizarlos en un generador de pulsos, basado en la topología del banco de Marx y lograr un funcionamiento adecuado de este, aunque estos transistores no estén diseñados para trabajar en avalancha.

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