Estudio teórico y práctico del régimen de avalancha en los transistores bipolares

José Enrique Eirez Izquierdo, Fabriciano Rodríguez González, Ernesto Alejandro López Cadalso, Yunior Ávila Vázquez

Resumen


Se realiza un estudio teórico de la zona de ruptura por avalancha de los Transistores Bipolares y la caracterización de los mismos en dichas condiciones extremas de trabajo, para obtener los datos necesarios y de esta manera un criterio de selección, que permitan utilizarlos en un generador de pulsos, basado en la topología del banco de Marx y lograr un funcionamiento adecuado de este, aunque estos transistores no estén diseñados para trabajar en avalancha.


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